Селенід цынку (ZnSe)
Станоўчыя лінзы для меніска

Меніскавыя лінзы ў асноўным выкарыстоўваюцца для факусіроўкі на малых памерах плямы або калімацыі.Яны забяспечваюць значна лепшую прадукцыйнасць, значна памяншаючы сферычныя аберацыі.Станоўчыя меніскавыя (выпукла-ўвагнутыя) лінзы, якія складаюцца з выпуклай і ўвагнутай паверхні і таўсцейшыя ў сярэдзіне, чым па краях, і выклікаюць канвергенцыю светлавых прамянёў, прызначаны для мінімізацыі сферычнай аберацыі ў аптычных сістэмах.Пры выкарыстанні для факусіроўкі калімаванага прамяня выпуклы бок лінзы павінен быць звернуты да крыніцы, каб мінімізаваць сферычную аберацыю.Пры выкарыстанні ў спалучэнні з іншым аб'ектывам станоўчая меніскавая лінза скароціць фокусную адлегласць і павялічыць лікавую апертуру (NA) сістэмы без значнай сферычнай аберацыі.Так як станоўчая меніскавая лінза мае большы радыус крывізны на ўвагнутым баку лінзы, чым на выпуклым баку, можна сфарміраваць рэальныя выявы.

Лінзы ZnSe асабліва добра падыходзяць для выкарыстання з высокамагутнымі CO2-лазерамі.Дзякуючы высокаму паказчыку праламлення ZnSe, мы можам прапанаваць лепшую сферычную форму для ZnSe, якая з'яўляецца канструкцыяй станоўчага меніска.Гэтыя лінзы выклікаюць невялікія аберацыі, памеры плям і памылкі хвалевага фронту, параўнальныя з лінзамі лепшай формы, вырабленымі з іншых матэрыялаў.

Paralight Optics прапануе пазітыўныя меніскавыя лінзы з селеніду цынку (ZnSe), даступныя з шырокапалосным пакрыццём AR, аптымізаваным для спектральнага дыяпазону ад 8 мкм да 12 мкм, нанесенага на абедзве паверхні.Гэта пакрыццё значна зніжае высокую адбівальную здольнасць паверхні падкладкі, даючы сярэдняе прапусканне больш за 97% ва ўсім дыяпазоне пакрыцця AR.

Асаблівасці:

матэрыял:

Селенід цынку (ZnSe)

Варыянт пакрыцця:

Без пакрыцця або з антыблікавым пакрыццём для 8 - 12 мкм

Фокусныя адлегласці:

Даступны ад 15 да 200 мм

Ужыванне:

Каб павялічыць NA аптычнай сістэмы

Агульныя тэхнічныя характарыстыкі:

пра-звязаны-ICO — Даведачны малюнак для

Станоўчая лінза меніска

f: Фокусная адлегласць
f_b: Задняя фокусная адлегласць
R: Радыус крывізны
t_c: Цэнтральная таўшчыня
t_e: Таўшчыня краю
H”: Задняя галоўная плоскасць

Заўвага: фокусная адлегласць вызначаецца ад задняй галоўнай плоскасці, якая неабавязкова супадае з таўшчынёй краю.

Параметры

Дыяпазоны і допускі

Матэрыял падкладкі

Селенід цынку лазернага класа (ZnSe)
Тып

Станоўчая лінза меніска
Паказчык праламлення (nd)

2,403
Нумар абата (Vd)

Не вызначана
Каэфіцыент цеплавога пашырэння (КТР)

7,1 х 10^-6/℃
Допуск дыяметра

Дакладнасць: +0,00/-0,10 мм |Высокая дакладнасць: +0,00/-0,02 мм
Допуск на таўшчыню цэнтра

Дакладнасць: +/-0,10 мм |Высокая дакладнасць: +/-0,02 мм
Допуск фокуснай адлегласці

+/- 1%
Якасць паверхні (Scratch-Dig)

Дакладнасць: 60-40 |Высокая дакладнасць: 40-20
Магутнасць сферычнай паверхні

3 λ/4
Няроўнасці паверхні (ад піку да даліны)

λ/4
Цэнтраванне

Дакладнасць:< 3 кутніх хвілін |Высокая дакладнасць:< 30 кутніх секунд
Чыстая дыяфрагма

80% дыяметра
Асартымент пакрыццяў AR

8 - 12 мкм
Каэфіцыент адлюстравання ў дыяпазоне пакрыцця (пры 0° AOI)

Равг< 1,0%, раб< 2,0%
Перадача па дыяпазоне пакрыцця (пры 0° AOI)

Tavg > 97%, Tabs > 92%
Дызайн Даўжыня хвалі

10,6 мкм
Парог лазернага пашкоджання (імпульсны)

5 Дж/см²(100 нс, 1 Гц, @10,6 мкм)