• PCV-Lantiy-ZnSe-1

Selenid Zenk (ZnSe)
Lantiy Plano-Konkav

Lantiy plano-konkav yo se lantiy negatif ki pi epè nan kwen an pase nan mitan an, lè limyè pase nan yo, li diverge ak pwen an konsantre se vityèl.Longè fokal yo negatif, osi byen ke reyon koube sifas koube yo.Bay aberasyon esferik negatif yo, lantiy plano-konkav yo ka itilize pou balanse aberasyon esferik ki te koze pa lòt lantiy nan yon sistèm optik.Lantiy plano-konkav yo itil pou diverge yon gwo bout bwa kolimatè ak kolimasyon yon gwo bout bwa konvèjan, yo itilize yo elaji travès limyè ak ogmante longè fokal nan sistèm optik ki egziste deja.Lantiy negatif sa yo souvan itilize nan teleskòp, kamera, lazè oswa linèt pou ede sistèm agrandisman yo pi kontra enfòmèl ant.

Lantiy plano-konkav fè byen lè objè a ak imaj yo nan rapò absoli konjige, pi gran pase 5:1 oswa mwens pase 1:5.Nan ka sa a, li posib diminye aberasyon esferik, koma, ak deformation.Menm jan ak lantiy plano-konvèks, pou reyalize efikasite maksimòm sifas koube a ta dwe fè fas a pi gwo distans objè a oswa konjige enfini pou minimize aberasyon esferik (eksepte lè yo itilize ak lazè gwo enèji kote sa a ta dwe ranvèse pou elimine posiblite pou yon vityèl). konsantre).

Lantiy ZnSe yo patikilyèman byen adapte pou itilize ak lazè CO2 oswa CO2 ki gen gwo pouvwa.Anplis de sa, yo ka bay ase transmisyon nan rejyon vizib la pou pèmèt itilize yon gwo bout bwa aliyman vizib, byenke refleksyon dèyè yo ka pi pwononse.Paralight Optics ofri Zenk Selenide (ZnSe) Lantiy Plano-Konkav (PCV) ki disponib ak yon kouch AR bande optimize pou 2 µm - 13 μm oswa 4.5 - 7.5 μm oswa 8 - 12 μm spectral ranje depoze sou tou de sifas yo.Kouch sa a diminye anpil refleksyon sifas segondè nan substra a, ki bay yon transmisyon mwayèn ki depase 92% oswa 97% atravè tout seri kouch AR.Tcheke graf yo pou referans ou yo.

icon-radyo

Karakteristik:

Materyèl:

Selenid Zenk (ZnSe)

Opsyon kouch:

San kouvwi oswa ak kouch antirefleksyon

Longè Fokal:

Disponib nan -25.4 mm rive -200 mm

Aplikasyon:

Ideyal pou aplikasyon lazè MIR akòz koyefisyan absòpsyon ki ba

icon-karakteristik

Espesifikasyon komen:

pro-ki gen rapò-ico

Desen referans pou

Lantiy Plano-Konkav (PCV).

f: Longè Fokal
fb: Longè Fokal Retounen
R: Reyon koub
tc: Sant epesè
te: Edge epesè
H”: Retounen Avyon Prensipal

Remak: Se longè fokal la detèmine nan plan prensipal la tounen, ki pa nesesèman liy ak epesè kwen an.

Paramèt

Ranje & Tolerans

  • Materyèl Substra

    Selenid Zenk (ZnSe)

  • Kalite

    Lantiy Plano-Konvèks (PCV).

  • Endèks refraksyon

    2.403 @ 10.6 μm

  • Nimewo Abbe (Vd)

    Pa Defini

  • Koefisyan ekspansyon tèmik (CTE)

    7.6x10-6/ ℃ nan 273K

  • Tolerans dyamèt

    Precision: +0.00/-0.10mm |Segondè Precision: +0.00/-0.02mm

  • Sant epesè tolerans

    Presizyon: +/-0.10 mm |Segondè Precision: +/-0.02 mm

  • Tolerans Fokal Longè

    +/-0.1%

  • Kalite Sifas (Grate-Fuye)

    Presizyon: 60-40 |Segondè Precision: 40-20

  • Planite sifas (bò plan)

    λ/10

  • Pouvwa sifas esferik (bò konvèks)

    3 λ/4

  • Iregilarite sifas (pik rive nan fon)

    λ/4

  • Santralizasyon

    Presizyon:< 5 arcmin |Segondè Precision:<30 arcsec

  • Ouvèti klè

    80% dyamèt

  • AR Kouch Range

    2 µm - 13 μm / 4.5 - 7.5 μm / 8 - 12 μm

  • Transmisyon sou ranje kouch (@ 0° AOI)

    Tavg > 92% / 97% / 97%

  • Refleksyon sou ranje kouch (@ 0° AOI)

    Ravg< 3.5%

  • Longèdonn konsepsyon

    10.6 µm

  • Papòt Domaj Lazè

    5 J/cm2 (100 ns, 1 Hz, @10.6 µm)

graf-img

Grafik

♦ Koub transmisyon nan 10 mm epè, substra ZnSe san kouvwi: transmisyon segondè soti nan 0.16 µm a 16 μm
♦ Koub transmisyon nan fenèt ZnSe 5mm AR-kouvwi: Tavg > 92% sou seri 2 µm - 13 μm
♦ Koub transmisyon nan 2.1 mm epè ZnSe AR-kouvwi: Tavg > 97% sou seri a 4.5 µm - 7.5 μm
♦ Koub transmisyon nan 5 mm epè ZnSe AR-kouvwi: Tavg > 97% sou seri a 8 µm - 12 μm

pwodwi-liy-img

Koub transmisyon nan 5mm AR-kouvwi (2 µm - 13 μm) ZnSe Substrate

pwodwi-liy-img

Koub transmisyon nan 2.1 mm epè AR-kouvwi (4.5 µm - 7.5 μm) ZnSe Lantiy nan ensidans nòmal

pwodwi-liy-img

Koub transmisyon nan 5 mm epè AR-kouvwi (8 µm - 12 μm) ZnSe substrate nan 0° AOL