צינק סעלענידע (ZnSe)
פּלאַנאָ-קאָנקאַווע לענסעס
פּלאַנאָ-קאָנקאַווע לענסעס אַרבעט גוט ווען די כייפעץ און בילד זענען אין אַבסאָלוט קאָנדזשוגאַטע ריישיאָוז, גרעסער ווי 5: 1 אָדער ווייניקער ווי 1: 5.אין דעם פאַל, עס איז מעגלעך צו רעדוצירן ספעריש אַבעריישאַן, קאָמאַטאָזער מאַצעוו און דיסטאָרשאַן.סימילאַרלי ווי מיט פּלאַנאָ-קאַנוועקס לענסעס, צו דערגרייכן מאַקסימום עפעקטיווקייַט, די קערווד ייבערפלאַך זאָל פּנים די גרעסטן כייפעץ דיסטאַנסע אָדער די ינפאַנאַט קאָנדזשוגאַטע צו מינאַמייז ספעריש אַבעריישאַן (אַחוץ ווען געוויינט מיט הויך-ענערגיע לייזערז, ווו דאָס זאָל זיין ריווערסט צו עלימינירן די מעגלעכקייט פון אַ ווירטואַל אַבעריישאַן. פאָקוס).
ZnSe לענסעס זענען דער הויפּט פּאַסיק פֿאַר נוצן מיט הויך-מאַכט CO אָדער CO2 לייזערז.אין אַדישאַן, זיי קענען צושטעלן גענוג טראַנסמיסיע אין די קענטיק געגנט צו לאָזן די נוצן פון אַ קענטיק אַליינמאַנט שטראַל, כאָטש צוריק ריפלעקשאַנז קען זיין מער פּראַנאַונסט.Paralight Optics אָפפערס Zinc Selenide (ZnSe) Plano-Concave (PCV) לענסעס בנימצא מיט אַ בראָדבאַנד AR קאָוטינג אָפּטימיזעד פֿאַר די 2 μm - 13 μm אָדער 4.5 - 7.5 μm אָדער 8 - 12 μm ספּעקטראַל קייט דאַפּאַזיטיד אויף ביידע סערפאַסיז.דער קאָוטינג ראַדוסאַז די הויך ריפלעקטיוויטי פון די ייבערפלאַך פון די סאַבסטרייט, וואָס גיט אַ דורכשניטלעך טראַנסמיסיע פון מער ווי 92% אָדער 97% איבער די גאנצע AR קאָוטינג קייט.קוק די גראַפיקס פֿאַר דיין רעפערענצן.
איינריכטונגען:
מאַטעריאַל:
צינק סעלענידע (ZnSe)
קאָוטינג אָפּציע:
ונקאָאַטעד אָדער מיט אַנטירעפלעקטיאָן קאָוטינגז
פאָקאַל לענגקטס:
בנימצא פון -25.4 מם צו -200 מם
אַפּפּליקאַטיאָנס:
ידעאַל פֿאַר MIR לייזער אַפּלאַקיישאַנז רעכט צו נידעריק אַבזאָרפּשאַן קאָואַפישאַנט
פּראָסט ספּעסאַפאַקיישאַנז:
רעפערענץ צייכענונג פֿאַר
פּלאַנאָ-קאָנקאַווע (PCV) אָביעקטיוו
f: פאָקאַל לענג
fb: צוריק פאָקאַל לענג
ר: ראַדיוס פון קערוואַטשער
tc: צענטער גרעב
te: עדזש גרעב
ה”: צוריק הויפּט פלאַך
באַמערקונג: די פאָקאַל לענג איז באשלאסן פון די צוריק הויפּט פלאַך, וואָס טוט נישט דאַווקע שורה אַרויף מיט די ברעג גרעב.
פּאַראַמעטערס
ריינדזשאַז & טאָלעראַנץ
-
סאַבסטרייט מאַטעריאַל
צינק סעלענידע (ZnSe)
-
טיפּ
פּלאַנאָ-קאָנוועקס (פּקוו) אָביעקטיוו
-
אינדעקס פון ריפראַקשאַן
2.403 @ 10.6 μם
-
אַבע נומער (ווד)
ניט דעפינעד
-
טערמאַל יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט (CTE)
7.6x10-6/℃ ביי 273K
-
דיאַמעטער טאָלעראַנץ
פּרעסיסיאָן: +0.00/-0.10מם |הויך פּרעסיסיאָן: +0.00/-0.02מם
-
צענטער גרעב טאָלעראַנץ
פּרעסיסיאָן: +/-0.10 מם |הויך פּרעסיסיאָן: +/-0.02 מם
-
פאָקאַל לענג טאָלעראַנץ
+/-0.1%
-
ייבערפלאַך קוואַליטעט (קראַצן-דיג)
פּרעסיסיאָן: 60-40 |הויך פּרעסיסיאָן: 40-20
-
ייבערפלאַך פלאַטנאַס (פּלאַנאָ זייַט)
λ/10
-
ספעריש ייבערפלאַך מאַכט (קאַנוועקס זייַט)
3 λ/4
-
ייבערפלאַך ירעגיאַלעראַטי (פּיקס צו וואַלי)
λ/4
-
צענטער
פּרעסיסיאָן:< 5 אַרקמין |הויך פּינטלעכקייַט:<30 arcsec
-
קלאָר עפענונג
80% פון דיאַמעטער
-
אַר קאָוטינג קייט
2 μm - 13 μm / 4.5 - 7.5 μm / 8 - 12 μm
-
טראַנסמיסיע איבער קאָוטינג קייט (@ 0 ° AOI)
טאַג > 92% / 97% / 97%
-
רעפלעקטאַנס איבער קאָוטינג קייט (@ 0 ° AOI)
Ravg<3.5%
-
פּלאַן ווייוולענגט
10.6 μם
-
לאַזער שעדיקן שוועל
5 J/cm2 (100 ns, 1 הז, @10.6 μm)
גראַפס
♦ טראַנסמיסיע ויסבייג פון 10 מם דיק, ונקאָאַטעד זנסע סאַבסטרייט: הויך טראַנסמיסיע פון 0.16 μm צו 16 μm
♦ טראַנסמיסיע ויסבייג פון 5 מם אַר-קאָוטאַד זנסע פֿענצטער: טאַווג> 92% איבער די 2 μm - 13 μm קייט
♦ טראַנסמיסיע ויסבייג פון 2.1 מם דיק אַר-קאָוטאַד זנסע: טאַווג> 97% איבער די 4.5 μm - 7.5 μm קייט
♦ טראַנסמיסיע ויסבייג פון 5 מם דיק אַר-קאָוטאַד זנסע: טאַווג> 97% איבער די 8 μm - 12 μm קייט
טראַנסמיסיע קורווע פון 5 מם אַר-קאָוטאַד (2 μm - 13 μm) ZnSe סאַבסטרייט
טראַנסמיסיע ויסבייג פון 2.1 מם דיק אַר-קאָוטאַד (4.5 μm - 7.5 μm) ZnSe אָביעקטיוו ביי נאָרמאַל ינסידאַנס
