ស័ង្កសី Selenide
កែវ meniscus អវិជ្ជមាន
នៅពេលប្រើដើម្បីបង្វែរពន្លឺនៅក្នុងកម្មវិធីពង្រីកធ្នឹម ផ្ទៃប៉ោងគួរប្រឈមមុខនឹងធ្នឹម ដើម្បីកាត់បន្ថយភាពមិនទៀងទាត់នៃរាងស្វ៊ែរ។នៅពេលប្រើរួមគ្នាជាមួយកែវថតមួយផ្សេងទៀត កញ្ចក់ meniscus អវិជ្ជមាននឹងបង្កើនប្រវែងប្រសព្វ និងបន្ថយជំរៅលេខ (NA) នៃប្រព័ន្ធ។
កញ្ចក់ ZnSe គឺល្អសម្រាប់កម្មវិធីឡាស៊ែរ CO2 ដោយសារតែលក្ខណៈរូបភាពដ៏ល្អ និងធន់ទ្រាំខ្ពស់ចំពោះការឆក់កម្ដៅ។Paralight Optics ផ្តល់នូវ Zinc Selenide (ZnSe) កញ្ចក់ meniscus អវិជ្ជមាន កែវទាំងនេះកាត់បន្ថយ NA នៃប្រព័ន្ធអុបទិក ហើយអាចប្រើបានជាមួយនឹងថ្នាំកូតប្រឆាំងនឹងការឆ្លុះបញ្ចាំងតាមអ៊ីនធឺណិត ដែលវាត្រូវបានធ្វើឱ្យប្រសើរសម្រាប់ជួរវិសាលគមពី 8 µm ទៅ 12 μm ដែលដាក់លើផ្ទៃ និងទិន្នផល។ ការបញ្ជូនជាមធ្យមលើសពី 97% លើជួរថ្នាំកូត AR ទាំងមូល។
លក្ខណៈពិសេស៖
សម្ភារៈ:
ស័ង្កសី Selenide (ZnSe)
ជម្រើសថ្នាំកូត៖
មិនស្រោប ឬជាមួយថ្នាំកូតប្រឆាំងនឹងការឆ្លុះបញ្ចាំង
ប្រវែងប្រសព្វ៖
អាចរកបានពី -40 ទៅ -1000 មម
កម្មវិធី៖
ដើម្បីបន្ថយ NA នៃប្រព័ន្ធអុបទិក
លក្ខណៈបច្ចេកទេសទូទៅ៖
គំនូរយោងសម្រាប់
កែវ meniscus អវិជ្ជមាន
f៖ ប្រវែងប្រសព្វ
fb៖ ប្រវែងប្រសព្វខាងក្រោយ
R: កាំនៃកោង
tc៖ កម្រាស់កណ្តាល
te៖ កម្រាស់គែម
H”៖ យន្តហោះសំខាន់ខាងក្រោយ
ចំណាំ៖ ប្រវែងប្រសព្វត្រូវបានកំណត់ពីប្លង់ខាងក្រោយ ដែលមិនចាំបាច់តម្រង់ជួរជាមួយកម្រាស់គែមនោះទេ។
ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ
ជួរ & ភាពអត់ធ្មត់
-
សម្ភារៈស្រទាប់ខាងក្រោម
ស័ង្កសី សេលេនីត ថ្នាក់ទីឡាស៊ែរ (ZnSe)
-
ប្រភេទ
កែវ meniscus អវិជ្ជមាន
-
សន្ទស្សន៍ចំណាំងបែរ
2.403 @ 10.6 µm
-
លេខ Abbe (Vd)
មិនត្រូវបានកំណត់
-
មេគុណពង្រីកកំដៅ (CTE)
៧.១x១០-6/ ℃នៅ 273K
-
ការអត់ធ្មត់អង្កត់ផ្ចិត
ភាពជាក់លាក់៖ +0.00/-0.10mm |ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់: +0.00/-0.02mm
-
ភាពធន់នឹងកម្រាស់កណ្តាល
ភាពជាក់លាក់៖ +/-0.10 mm |ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់: +/-0.02 ម។
-
ការអត់ធ្មត់ប្រវែងប្រសព្វ
+/- 1%
-
គុណភាពផ្ទៃ (កោស-ជីក)
ភាពជាក់លាក់៖ 60-40 |ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់: 40-20
-
ថាមពលផ្ទៃស្វ៊ែរ
3 λ/4
-
ភាពមិនទៀងទាត់នៃផ្ទៃ (កំពូលទៅជ្រលងភ្នំ)
λ/4
-
មជ្ឈមណ្ឌល
ភាពជាក់លាក់៖< 3 arcmin |ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់៖< 30 arcsec
-
ជម្រះ Aperture
80% នៃអង្កត់ផ្ចិត
-
ជួរថ្នាំកូត AR
8 - 12 μm
-
ការឆ្លុះបញ្ចាំងលើជួរថ្នាំកូត (@ 0° AOI)
Ravg< 1.5%
-
ការបញ្ជូនពីលើជួរថ្នាំកូត (@ 0° AOI)
កម្រិត> 97%
-
ការរចនាប្រវែងរលក
10.6 μm
-
កម្រិតនៃការខូចខាតឡាស៊ែរ (ជីពចរ)
5 J / សង់ទីម៉ែត្រ2(100 ns, 1 Hz, @ 10.6μm)
ក្រាហ្វ
♦ ខ្សែកោងបញ្ជូននៃស្រទាប់ខាងក្រោម ZnSe ក្រាស់ 5 ម: ការបញ្ជូនខ្ពស់ពី 0.16 µm ទៅ 16 μm
♦ ខ្សែកោងបញ្ជូននៃ AR-coated ZnSe Window កម្រាស់ 5 ម: Tavg> 97% លើជួរ 8 µm - 12 μm
