สังกะสี เซเลไนด์ (ZnSe)
เลนส์ไบเว้า
เมื่อตัดสินใจเลือกระหว่างเลนส์พลาโนเว้ากับเลนส์ไบเว้า ซึ่งทั้งสองอย่างนี้ทำให้แสงตกกระทบแตกต่างออกไป โดยปกติแล้วจะเหมาะสมกว่าที่จะเลือกเลนส์ไบเว้าหากอัตราส่วนคอนจูเกตสัมบูรณ์ (ระยะห่างของวัตถุหารด้วยระยะห่างของภาพ) มีค่าใกล้เคียง 1 เมื่อกำลังขยายสัมบูรณ์ที่ต้องการน้อยกว่า 0.2 หรือมากกว่า 5 มีแนวโน้มว่าจะเลือกเลนส์พลาโนเว้าแทน
เลนส์ ZnSe เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้กับเลเซอร์ CO2 กำลังสูงParalight Optics นำเสนอเลนส์ Bi-Concave หรือ Double-Concave (DCV) ของ Zinc Selenide (ZnSe) พร้อมการเคลือบ AR แบบบรอดแบนด์ที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับช่วงสเปกตรัม 8 - 12 μm ที่สะสมอยู่บนพื้นผิวทั้งสองการเคลือบนี้ช่วยลดการสะท้อนแสงบนพื้นผิวในระดับสูงของซับสเตรตได้อย่างมาก ทำให้มีการส่งผ่านโดยเฉลี่ยเกินกว่า 97% ตลอดช่วงการเคลือบ AR ทั้งหมดสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับการเคลือบผิว โปรดตรวจสอบกราฟต่อไปนี้เพื่อใช้อ้างอิง
คุณสมบัติ:
วัสดุ:
สังกะสี เซเลไนด์ (ZnSe)
ตัวเลือกการเคลือบ:
มีจำหน่ายแบบไม่เคลือบหรือเคลือบสารป้องกันแสงสะท้อน
ทางยาวโฟกัส:
มีให้เลือกตั้งแต่ -25.4 มม. ถึง -200 มม
การใช้งาน:
เหมาะสำหรับ CO2 การใช้งานเลเซอร์เนื่องจากค่าสัมประสิทธิ์การดูดซับต่ำ
ข้อมูลจำเพาะทั่วไป:
การวาดภาพอ้างอิงสำหรับ
เลนส์เว้าคู่ (DCV)
f: ทางยาวโฟกัส
fb: ทางยาวโฟกัสด้านหลัง
ff: ความยาวโฟกัสด้านหน้า
R: รัศมีความโค้ง
tc: ความหนาตรงกลาง
te: ความหนาของขอบ
H”: ระนาบหลักด้านหลัง
หมายเหตุ: ความยาวโฟกัสถูกกำหนดจากระนาบหลักด้านหลัง ซึ่งไม่จำเป็นต้องสอดคล้องกับความหนาของขอบ
พารามิเตอร์
ช่วงและความคลาดเคลื่อน
-
วัสดุพื้นผิว
สังกะสีเซเลไนด์เกรดเลเซอร์ (ZnSe)
-
พิมพ์
เลนส์คอนเวฟคู่ (DCV)
-
ดัชนีการหักเหของแสง
2.403 @ 10.6μm
-
หมายเลข Abbe (Vd)
ไม่ได้กำหนดไว้
-
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน (CTE)
7.1x10-6/℃ ที่ 273K
-
ความอดทนของเส้นผ่านศูนย์กลาง
ความแม่นยำ: +0.00/-0.10มม. |ความแม่นยำสูง: +0.00/-0.02มม
-
ความทนทานต่อความหนา
ความแม่นยำ: +/-0.10 มม. |ความแม่นยำสูง: +/-0.02 มม
-
ความอดทนทางยาวโฟกัส
+/- 1%
-
คุณภาพพื้นผิว (scratch-dig)
ความแม่นยำ: 60-40 |ความแม่นยำสูง: 40-20
-
พลังพื้นผิวทรงกลม
3 แล/4
-
ความผิดปกติของพื้นผิว (จุดสูงสุดถึงหุบเขา)
แลมบ์/4 @633 นาโนเมตร
-
ศูนย์กลาง
ความแม่นยำ:< 3 อาร์มิน |ความแม่นยำสูง< 30 อาร์ควินาที
-
รูรับแสงที่ชัดเจน
80% ของเส้นผ่านศูนย์กลาง
-
ช่วงการเคลือบ AR
8 - 12 ไมโครเมตร
-
การสะท้อนกลับเหนือช่วงการเคลือบ (@ 0° AOI)
ราฟจ์< 1.0%, แรบส์< 2.0%
-
การส่งผ่านช่วงการเคลือบ (@ 0° AOI)
Tavg > 97%, แท็บ > 92%
-
การออกแบบความยาวคลื่น
10.6 ไมโครเมตร
-
เกณฑ์ความเสียหายของเลเซอร์
5 เจ/ซม2(100 นาโนวินาที, 1 เฮิรตซ์, @10.6μm)
กราฟ
♦ เส้นโค้งการส่งผ่านของซับสเตรต ZnSe ที่ไม่เคลือบผิวหนา 5 มม.: การส่งผ่านสูงตั้งแต่ 0.16 ถึง 16 μm
กราฟการส่งผ่านของซับสเตรต ZnSe ที่เคลือบ AR ขนาด 5 มม.: Tavg > 97% ในช่วง 8 - 12 μm
