ซิลิคอน (ศรี)
เลนส์พลาโน-นูน
เมื่อตัดสินใจเลือกระหว่างเลนส์พลาโนนูนกับเลนส์ไบนูน ซึ่งทั้งสองอย่างนี้ทำให้แสงตกกระทบที่มาบรรจบกัน โดยทั่วไปจะเหมาะสมกว่าที่จะเลือกเลนส์พลาโนนูนหากกำลังขยายสัมบูรณ์ที่ต้องการน้อยกว่า 0.2 หรือมากกว่า 5. ระหว่างสองค่านี้ โดยทั่วไปควรใช้เลนส์นูนสองด้าน
ซิลิคอนมีค่าการนำความร้อนสูงและความหนาแน่นต่ำอย่างไรก็ตาม มีแถบดูดซับที่แข็งแกร่งที่ 9 ไมครอน จึงไม่เหมาะกับการใช้งานกับการส่งผ่านเลเซอร์ CO2Paralight Optics นำเสนอเลนส์พลาโนนูนซิลิคอน (Si) พร้อมการเคลือบ AR บรอดแบนด์ที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับช่วงสเปกตรัม 3 µm ถึง 5 µm ที่สะสมอยู่บนพื้นผิวทั้งสองการเคลือบนี้ลดการสะท้อนของพื้นผิวของพื้นผิวลงอย่างมาก ทำให้มีการส่งผ่านสูงและการดูดซับที่น้อยที่สุดตลอดช่วงการเคลือบ AR ทั้งหมดตรวจสอบกราฟสำหรับการอ้างอิงของคุณ
คุณสมบัติ:
วัสดุ:
ซิลิคอน (ศรี)
พื้นผิว:
ความหนาแน่นต่ำและค่าการนำความร้อนสูง
ตัวเลือกการเคลือบ:
ไม่เคลือบผิวหรือมีสารเคลือบป้องกันแสงสะท้อนและ DLC สำหรับช่วง 3 - 5 μm
ทางยาวโฟกัส:
มีให้เลือกตั้งแต่ 15 ถึง 1,000 มม
ข้อมูลจำเพาะทั่วไป:
การวาดภาพอ้างอิงสำหรับ
เลนส์พลาโนนูน (PCX)
เส้นผ่านศูนย์กลาง: เส้นผ่านศูนย์กลาง
f: ทางยาวโฟกัส
ff: ความยาวโฟกัสด้านหน้า
fb: ทางยาวโฟกัสด้านหลัง
ตอบ: รัศมี
tc: ความหนาตรงกลาง
te: ความหนาของขอบ
H”: ระนาบหลักด้านหลัง
หมายเหตุ: ความยาวโฟกัสถูกกำหนดจากระนาบหลักด้านหลัง ซึ่งไม่จำเป็นต้องสอดคล้องกับความหนาของขอบ
พารามิเตอร์
ช่วงและความคลาดเคลื่อน
-
วัสดุพื้นผิว
ซิลิคอน (ศรี)
-
พิมพ์
เลนส์พลาโน-คอนเซกซ์ (PCX)
-
ดัชนีการหักเหของแสง
3.422 @ 4.58 ไมโครเมตร
-
หมายเลข Abbe (Vd)
ไม่ได้กำหนดไว้
-
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน (CTE)
2.6x10-6/ ที่ 20°C
-
ความอดทนของเส้นผ่านศูนย์กลาง
ความแม่นยำ: +0.00/-0.10มม. |ความแม่นยำสูง: +0.00/-0.02มม
-
ความทนทานต่อความหนา
ความแม่นยำ: +/-0.10 มม. |ความแม่นยำสูง: -0.02 มม
-
ความอดทนทางยาวโฟกัส
+/- 1%
-
คุณภาพพื้นผิว (Scratch-Dig)
ความแม่นยำ: 60-40 |ความแม่นยำสูง: 40-20
-
ความเรียบของ พื้นผิว (ด้านพลาโน)
แล/4
-
กำลังพื้นผิวทรงกลม (ด้านนูน)
3 แล/4
-
ความผิดปกติของพื้นผิว (จุดสูงสุดถึงหุบเขา)
แล/4
-
ศูนย์กลาง
ความแม่นยำ:<3 อาร์มิน |ความแม่นยำสูง: <30 อาร์ควินาที
-
รูรับแสงที่ชัดเจน
90% ของเส้นผ่านศูนย์กลาง
-
ช่วงการเคลือบ AR
3 - 5 ไมโครเมตร
-
การส่งผ่านช่วงการเคลือบ (@ 0° AOI)
แท็ก > 98%
-
การสะท้อนกลับเหนือช่วงการเคลือบ (@ 0° AOI)
ราฟจ์< 1.25%
-
การออกแบบความยาวคลื่น
4µm
-
เกณฑ์ความเสียหายของเลเซอร์
0.25 เจ/ซม2(6 ns, 30 กิโลเฮิรตซ์, @3.3μm)
กราฟ
กราฟการส่งผ่านของสารตั้งต้น Si ที่ไม่เคลือบผิว: การส่งสัญญาณสูงตั้งแต่ 1.2 ถึง 8 μm
กราฟการส่งผ่านของสารตั้งต้น AR-Coated Si: Tavg > 98% ในช่วง 3 - 5 μm
กราฟการส่งผ่านของซับสเตรต DLC + AR-Coated Si: Tavg > 90% ในช่วง 3 - 5 μm
เส้นโค้งการส่งผ่านของพื้นผิวซิลิคอนเคลือบ AR (3 - 5 μm)
