Nd: YVO4
Nd:YVO4 ক্রিস্টাল হল সবচেয়ে দক্ষ লেজার হোস্ট ক্রিস্টাল যা বর্তমানে ডায়োড লেজার পাম্পড সলিড স্টেট লেজারের জন্য বিদ্যমান।লেসিং তরঙ্গদৈর্ঘ্যে এর বৃহৎ উদ্দীপিত নির্গমন ক্রস-সেকশন, উচ্চ শোষণ সহগ এবং পাম্প তরঙ্গদৈর্ঘ্যে বিস্তৃত শোষণ ব্যান্ডউইথ, উচ্চ লেজার প্ররোচিত ক্ষতির থ্রেশহোল্ডের পাশাপাশি ভাল শারীরিক, অপটিক্যাল এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলি Nd:YVO4 উচ্চ শক্তি, স্থিতিশীল এবং স্থিতিশীলতার জন্য একটি চমৎকার স্ফটিক তৈরি করে। সাশ্রয়ী ডায়োড পাম্প করা কঠিন-রাষ্ট্র লেজার।
বৈশিষ্ট্য এবং অ্যাপ্লিকেশন
★ কম লেসিং থ্রেশহোল্ড এবং উচ্চ ঢাল দক্ষতা
★ পাম্প তরঙ্গদৈর্ঘ্যের উপর কম নির্ভরতা
★ লেসিং তরঙ্গদৈর্ঘ্যে বড় উদ্দীপিত নির্গমন ক্রস-সেকশন
★ একটি বিস্তৃত পাম্পিং তরঙ্গদৈর্ঘ্য ব্যান্ডউইথের উপর উচ্চ শোষণ
★ অপটিক্যালি অক্ষীয় এবং বৃহৎ বিয়ারফ্রিংজেন্স পোলারাইজড লেজার নির্গত করে
★ একক-অনুদৈর্ঘ্য-মোড আউটপুট এবং কমপ্যাক্ট ডিজাইনের জন্য
★ ডায়োড লেজার-পাম্পড Nd:YVO4 কমপ্যাক্ট লেজার এবং এর ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণ সবুজ, লাল বা নীল লেজার হবে মেশিনিং, উপাদান প্রক্রিয়াকরণ, স্পেকট্রোস্কোপি, ওয়েফার পরিদর্শন, লাইট শো, মেডিকেল ডায়াগনস্টিকস, লেজার প্রিন্টিং এবং অন্যান্য সর্বাধিক বিস্তৃত লেজারের আদর্শ সরঞ্জাম। অ্যাপ্লিকেশন
ভৌত বৈশিষ্ট্য
| পারমাণবিক ঘনত্ব | ~1.37x1020 পরমাণু/সেমি3 |
| স্ফটিক গঠন | জিরকন টেট্রাগোনাল, স্পেস গ্রুপ D4h |
| a=b=7.12, c=6.29 | |
| ঘনত্ব | 4.22 গ্রাম/সেমি3 |
| মোহস কঠোরতা | কাচের মতো, ~5 |
| তাপ সম্প্রসারণ সহগ | a=4.43x10-6/কে, c=11.37x10-6/K |
অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য
(সাধারণত 1.1 atm% Nd: YVO4, a-cut ক্রিস্টালের জন্য)
| Lasing তরঙ্গদৈর্ঘ্য | 914nm, 1064nm, 1342nm |
| তাপীয় অপটিক্যাল সহগ | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| উদ্দীপিত নির্গমন ক্রস-বিভাগ | 25.0x10-19 সেমি2@1064nm |
| ফ্লুরোসেন্ট লাইফটাইম | 90us @808nm, (2atm% Nd ডোপডের জন্য 50us @808 nm) |
| শোষণ গুণাঙ্ক | 31.4 সেমি-1@808nm |
| শোষণ দৈর্ঘ্য | 0.32 মিমি @808nm |
| অন্তর্নিহিত ক্ষতি | 0.1% কম সেমি-1@1064nm |
| ব্যান্ডউইথ লাভ করুন | 0.96 nm (257 GHz) @1064nm |
| পোলারাইজড লেজার নির্গমন | p মেরুকরণ, অপটিক অক্ষের সমান্তরাল (c-অক্ষ) |
| ডায়োড পাম্প করা অপটিক্যাল থেকে অপটিক্যাল দক্ষতা | >60% |
| ক্রিস্টাল ক্লাস | ধনাত্মক অক্ষীয়, no=na=nb, ne=nc, no=1.9573, ne=2.1652, @1064nm no=1.9721, ne=2.1858, @808nm no=2.0210, ne=2.2560, @532nm |
| সেলমেয়ার সমীকরণ (বিশুদ্ধ YVO4 ক্রিস্টালের জন্য, উমে λ) | no2=3.77834+0.069736/(λ2-0.04724)-0.0108133λ2 ne2=4.59905+0.110534/(λ2-0.04813)-0.0122676λ2 |
লেজারের বৈশিষ্ট্য
(Nd:YVO4 বনাম Nd:YAG)
| লেজার ক্রিস্টাল | এনডি ডোপড | σ | α | τ | La | Pth | η |
| (এটিএম%) | (x10-19cm2) | (সেমি-1) | (সেমি-1) | (মিমি) | (mW) | (%) | |
| Nd:YVO4(a-cut) | 1.1 | 25 | 31.2 | 90 | 0.32 | 78 | 48.6 |
| 2 | 72.4 | 50 | 0.14 | ||||
| Nd:YVO4(c-কাট) | 1.1 | 7 | 9.2 | 90 | 231 | 45.5 | |
| Nd: YAG | 0.85 | 6 | 7.1 | 230 | 1.41 | 115 | 38.6 |
কী স্পেসিফিকেশন
| পরামিতি | পরিসীমা বা সহনশীলতা |
| এনডি ডোপ্যান্ট লেভেল | m% এ 0.1-5.0 |
| বিক্ষিপ্ত | অদৃশ্য, একটি He-Ne লেজার দিয়ে অনুসন্ধান করা হয়েছে |
| ওরিয়েন্টেশন সহনশীলতা | ± 0.5 ডিগ্রী |
| মাত্রিক সহনশীলতা | ± 0.1 মিমি |
| সারফেস কোয়ালিটি (স্ক্র্যাচ-ডিগ) | 10-5 |
| ক্লিয়ার অ্যাপারচার | > 90% |
| পৃষ্ঠ সমতলতা | < λ/10 @ 633 এনএম |
| ওয়েভফ্রন্ট ত্রুটি | < λ/8 @ 633 এনএম |
| সমান্তরালতা | < 10 আর্সেক |
| এন্ড-ফেস কনফিগারেশন | Plano / Plano |
| অন্তর্নিহিত ক্ষতি | <0.1% সেমি-1 |
| আবরণ | AR 1064 এবং HT 808: R <0.1% @1064nm, R<5% @ 808nm HR 1064 এবং HT 808 এবং HR 532: R>99.8% @1064nm, R<5% @ 808nm, r="">99% @ 532nm AR 1064: R<0.1% @ 1064nm |
অন্যান্য ধরনের স্ফটিক যেমন ননলাইনার ক্রিস্টাল [BBO (Beta-BaB2O4), পটাসিয়াম টাইটানিয়াম অক্সাইড ফসফেট (KTiOPO4 বা KTP)], প্যাসিভ Q-সুইচ ক্রিস্টাল [Cr: YAG (Cr4+:Y3Al5O12), EO Cry-এর মতো আরও তথ্যের জন্য লিথিয়াম নিওবেট (LiNbO3), BBO ক্রিস্টাল], Birefringent Crystal [Yttrium Orthovanadate (YVO4), ক্যালসাইট, লিথিয়াম Niobate (LiNbO3), উচ্চ তাপমাত্রার ফর্ম BBO (α-BaB2O4), একক সিন্থেটিক ক্রিস্টাল কোয়ার্টজ, ম্যাগনেসিয়াম (F2MF) একটি উদ্ধৃতি, আমাদের সাথে যোগাযোগ বিনা দ্বিধায় দয়া করে.
