Nd:YVO4
Nd:YVO4 kristala diodo laser bidez ponpatutako egoera solidoko laserretarako gaur egun dagoen laser ostalariaren kristal eraginkorrenetakoa da.Bere estimulatutako igorpen-sekzio handia lasing-uhin-luzeran, xurgapen-koefiziente handia eta xurgapen-banda zabala ponparen uhin-luzeran, laser bidez eragindako kalte-atalase altuek eta propietate fisiko, optiko eta mekaniko onek Nd:YVO4 kristal bikaina bihurtzen dute potentzia handiko, egonkor eta egonkorra lortzeko. egoera solidoko laserrak ponpatutako diodo errentagarriak.
Ezaugarriak eta Aplikazioak
★ Lasing-atalase baxua eta malda-eraginkortasun handia
★ Ponparen uhin-luzeraren menpekotasun txikia
★ estimulatutako igorpen-sekzio handia lasing-en uhin-luzeran
★ Absortzio handia ponpaketa-uhin-luzera zabaleko banda-zabalera batean
★ Optikoki uniaxialak eta birefringentzia handiak polarizatutako laserra igortzen du
★ Modu longitudinal bakarreko irteerarako eta diseinu trinkorako
★ Diodo laser bidez ponpatutako Nd: YVO4 laser trinkoa eta bere frekuentzia bikoiztutako laser berdea, gorria edo urdina mekanizatu, material prozesatzeko, espektroskopia, obleen ikuskapena, argi ikuskizuna, diagnostiko medikoa, laser inprimaketa eta hedatuen dauden beste laser tresna ezin hobeak izango dira. aplikazioak
Propietate fisikoak
| Dentsitate atomikoa | ~1,37x1020 atomo/cm3 |
| Kristal Egitura | Zirkoia tetragonala, D4h espazio-taldea |
| a=b=7,12, c=6,29 | |
| Dentsitatea | 4,22 g/cm3 |
| Mohs gogortasuna | Beira itxurakoa, ~5 |
| Hedapen termikoaren koefizientea | a=4,43x10-6/K, c=11,37x10-6/K |
Propietate Optikoak
(normalean 1,1 atm% Nd:YVO4, a-moztutako kristaletarako)
| Lasing uhin-luzerak | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Koefiziente Optiko Termikoa | dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K |
| Igorpen Estimulatua Zeharkako Sekzioa | 25,0x10-19cm2@1064nm |
| Bizitza fluoreszentea | 90us @808nm, (50us @808nm %2atm Nd dopatuta) |
| Xurgapen-koefizientea | 31,4 cm-1@808nm |
| Xurgapen-luzera | 0,32 mm @ 808 nm |
| Berezko galera | % 0,1 cm-1@1064nm baino gutxiago |
| Irabazi banda zabalera | 0,96 nm (257 GHz) @1064 nm |
| Laser igorpen polarizatua | p polarizazioa, ardatz optikoarekiko paraleloa (c-ardatza) |
| Diodoa Pumped Optiko-eraginkortasun optikora | > %60 |
| Kristal Klasea | Uniaxial positiboa, no=na=nb, ne=nc, ez=1,9573, ne=2,1652, @1064nm ez=1,9721, ne=2,1858, @808nm ez=2,0210, ne=2,2560, @532nm |
| Sellmeier ekuazioa (YVO4 kristal hutsetarako, λ in um) | no2=3,77834+0,069736/(λ2-0,04724)-0,0108133λ2 ne2=4,59905+0,110534/(λ2-0,04813)-0,0122676λ2 |
Laser Propietateak
(Nd:YVO4 vs Nd:YAG)
| Laser kristala | Nd dopatua | σ | α | τ | La | Pth | η |
| (% atm) | (x10-19 cm2) | (cm-1) | (cm-1) | (mm) | (mW) | (%) | |
| Nd:YVO4 (a-moztua) | 1.1 | 25 | 31.2 | 90 | 0,32 | 78 | 48.6 |
| 2 | 72.4 | 50 | 0,14 | ||||
| Nd:YVO4 (c-ebakia) | 1.1 | 7 | 9.2 | 90 | 231 | 45.5 | |
| Nd:YAG | 0,85 | 6 | 7.1 | 230 | 1.41 | 115 | 38.6 |
Funtsezko zehaztapenak
| Parametroak | Tarteak edo Perdoiak |
| Nd Dopante Maila | 0,1-5,0 % m-tan |
| Sakabanaketa | Ikusezina, He-Ne laser batekin zundatuta |
| Orientazio-tolerantzia | ± 0,5 gradu |
| Dimentsio-tolerantzia | ± 0,1 mm |
| Gainazalaren kalitatea (Scratch-Dig) | 10-5 |
| Irekidura garbia | > %90 |
| Azalera lautasuna | < λ/10 @ 633 nm |
| Wavefront Error | < λ/8 @ 633 nm |
| Paralelismoa | < 10 arkuseg |
| Amaiera-aurpegien konfigurazioa | Plano / Plano |
| Berezko galera | < % 0,1 cm-1 |
| Estaldurak | AR 1064 & HT 808: R < % 0,1 @ 1064 nm, R < % 5 @ 808 nm HR 1064 & HT 808 eta HR 532: R>% 99,8 @1064nm, R<5% @ 808nm, r="">%99 @ 532nm AR 1064: R<0,1% @ 1064nm |
Beste kristal mota batzuei buruzko informazio gehiago lortzeko, esate baterako, kristal ez-lineala [BBO (Beta-BaB2O4), potasio titanio oxidoaren fosfatoa (KTiOPO4 edo KTP)], Q-Switch kristal pasiboa [Cr: YAG (Cr4+:Y3Al5O12)], EO kristala [ Litio niobato (LiNbO3), BBO kristala], Kristal birrefringente [Itrio ortovanatatoa (YVO4), kaltzita, litio niobatoa (LiNbO3), Tenperatura handiko BBO (α-BaB2O4), kristal sintetiko bakarreko kuartzoa, magnesio fluoruroa (MgF2)] edo lortu aurrekontu bat, mesedez jar zaitez gurekin harremanetan.
