Nd:YVO4
Nd:YVO4 ಸ್ಫಟಿಕವು ಡಯೋಡ್ ಲೇಸರ್ ಪಂಪ್ ಮಾಡಿದ ಘನ ಸ್ಥಿತಿಯ ಲೇಸರ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಪ್ರಸ್ತುತ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರುವ ಅತ್ಯಂತ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಲೇಸರ್ ಹೋಸ್ಟ್ ಸ್ಫಟಿಕವಾಗಿದೆ.ಲೇಸಿಂಗ್ ತರಂಗಾಂತರದಲ್ಲಿ ಅದರ ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಚೋದಿತ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕ ಮತ್ತು ಪಂಪ್ ತರಂಗಾಂತರದಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ಲೇಸರ್ ಪ್ರೇರಿತ ಹಾನಿ ಮಿತಿ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಭೌತಿಕ, ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಮತ್ತು ಯಾಂತ್ರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು Nd:YVO4 ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ, ಸ್ಥಿರ ಮತ್ತು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನಾಗಿ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ವೆಚ್ಚ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಡಯೋಡ್ ಪಂಪ್ಡ್ ಘನ-ಸ್ಥಿತಿಯ ಲೇಸರ್ಗಳು.
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು ಮತ್ತು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳು
★ ಕಡಿಮೆ ಲೇಸಿಂಗ್ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಇಳಿಜಾರಿನ ದಕ್ಷತೆ
★ ಪಂಪ್ ತರಂಗಾಂತರದ ಮೇಲೆ ಕಡಿಮೆ ಅವಲಂಬನೆ
★ ಲೇಸಿಂಗ್ ತರಂಗಾಂತರದಲ್ಲಿ ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಚೋದಿತ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗ
★ ವಿಶಾಲವಾದ ಪಂಪಿಂಗ್ ತರಂಗಾಂತರದ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್‌ನಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ
★ ದೃಗ್ವೈಜ್ಞಾನಿಕವಾಗಿ ಏಕಾಕ್ಷೀಯ ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ಬೈರ್ಫ್ರಿಂಜೆನ್ಸ್ ಧ್ರುವೀಕೃತ ಲೇಸರ್ ಅನ್ನು ಹೊರಸೂಸುತ್ತದೆ
★ ಏಕ-ರೇಖಾಂಶದ-ಮೋಡ್ ಔಟ್ಪುಟ್ ಮತ್ತು ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ವಿನ್ಯಾಸಕ್ಕಾಗಿ
★ ಡಯೋಡ್ ಲೇಸರ್-ಪಂಪ್ಡ್ Nd:YVO4 ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ಲೇಸರ್ ಮತ್ತು ಅದರ ಆವರ್ತನ-ದ್ವಿಗುಣಗೊಂಡ ಹಸಿರು, ಕೆಂಪು ಅಥವಾ ನೀಲಿ ಲೇಸರ್ ಯಂತ್ರ, ವಸ್ತು ಸಂಸ್ಕರಣೆ, ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ, ವೇಫರ್ ತಪಾಸಣೆ, ಬೆಳಕಿನ ಪ್ರದರ್ಶನ, ವೈದ್ಯಕೀಯ ರೋಗನಿರ್ಣಯ, ಲೇಸರ್ ಮುದ್ರಣ ಮತ್ತು ಇತರ ಅತ್ಯಂತ ವ್ಯಾಪಕವಾದ ಲೇಸರ್ ಉಪಕರಣಗಳು ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು
ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
| ಪರಮಾಣು ಸಾಂದ್ರತೆ | ~1.37x1020 ಪರಮಾಣುಗಳು/ಸೆಂ3 |
| ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ರಚನೆ | ಜಿರ್ಕಾನ್ ಟೆಟ್ರಾಗೋನಲ್, ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶ ಗುಂಪು D4h |
| a=b=7.12, c=6.29 | |
| ಸಾಂದ್ರತೆ | 4.22 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ3 |
| ಮೊಹ್ಸ್ ಗಡಸುತನ | ಗಾಜಿನಂತೆ, ~5 |
| ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ ಗುಣಾಂಕ | a=4.43x10-6/ಕೆ, ಸಿ=11.37x10-6/K |
ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪ್ರಾಪರ್ಟೀಸ್
(ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 1.1 atm% Nd:YVO4, a-ಕಟ್ ಸ್ಫಟಿಕಗಳಿಗೆ)
| ಲೇಸಿಂಗ್ ತರಂಗಾಂತರಗಳು | 914nm, 1064nm, 1342nm |
| ಥರ್ಮಲ್ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಾಂಕ | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| ಪ್ರಚೋದಿತ ಎಮಿಷನ್ ಕ್ರಾಸ್-ಸೆಕ್ಷನ್ | 25.0x10-19ಸೆಂ2@1064nm |
| ಫ್ಲೋರೊಸೆಂಟ್ ಜೀವಿತಾವಧಿ | 90us @808nm, (50us @808 nm 2atm% Nd ಡೋಪ್ಡ್) |
| ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕ | 31.4 ಸೆಂ.ಮೀ-1@808nm |
| ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಉದ್ದ | 0.32 mm @808nm |
| ಆಂತರಿಕ ನಷ್ಟ | 0.1% cm-1@1064nm ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ |
| ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್ ಗಳಿಸಿ | 0.96 nm (257 GHz) @1064nm |
| ಧ್ರುವೀಕೃತ ಲೇಸರ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ | p ಧ್ರುವೀಕರಣ, ಆಪ್ಟಿಕ್ ಅಕ್ಷಕ್ಕೆ ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ (ಸಿ-ಆಕ್ಸಿಸ್) |
| ಡಯೋಡ್ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಟು ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಪಂಪ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ | >60% |
| ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ವರ್ಗ | ಧನಾತ್ಮಕ ಏಕಾಕ್ಷೀಯ, no=na=nb, ne=nc, no=1.9573, ne=2.1652, @1064nm no=1.9721, ne=2.1858, @808nm no=2.0210, ne=2.2560, @532nm |
| ಸೆಲ್‌ಮಿಯರ್ ಸಮೀಕರಣ(ಶುದ್ಧ YVO4 ಸ್ಫಟಿಕಗಳಿಗೆ, λ ರಲ್ಲಿ) | no2=3.77834+0.069736/(λ2-0.04724)-0.0108133λ2 ne2=4.59905+0.110534/(λ2-0.04813)-0.0122676λ2 |
ಲೇಸರ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
(Nd:YVO4 vs Nd:YAG)
| ಲೇಸರ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ | ಎನ್ಡಿ ಡೋಪ್ಡ್ | σ | α | τ | La | ಪಂ | η |
| (ATM%) | (x10-19cm2) | (ಸೆಂ-1) | (ಸೆಂ-1) | (ಮಿಮೀ) | (mW) | (%) | |
| Nd:YVO4(ಎ-ಕಟ್) | 1.1 | 25 | 31.2 | 90 | 0.32 | 78 | 48.6 |
| 2 | 72.4 | 50 | 0.14 | ||||
| Nd:YVO4(c-ಕಟ್) | 1.1 | 7 | 9.2 | 90 | 231 | 45.5 | |
| Nd:YAG | 0.85 | 6 | 7.1 | 230 | 1.41 | 115 | 38.6 |
ಪ್ರಮುಖ ವಿಶೇಷಣಗಳು
| ನಿಯತಾಂಕಗಳು | ಶ್ರೇಣಿಗಳು ಅಥವಾ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಗಳು |
| Nd ಡೋಪಾಂಟ್ ಮಟ್ಟ | m% ನಲ್ಲಿ 0.1-5.0 |
| ಚದುರುವಿಕೆ | ಅದೃಶ್ಯ, He-Ne ಲೇಸರ್‌ನೊಂದಿಗೆ ತನಿಖೆ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ |
| ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಸಹಿಷ್ಣುತೆ | ± 0.5 ಡಿಗ್ರಿ |
| ಆಯಾಮದ ಸಹಿಷ್ಣುತೆ | ± 0.1 ಮಿಮೀ |
| ಮೇಲ್ಮೈ ಗುಣಮಟ್ಟ (ಸ್ಕ್ರ್ಯಾಚ್-ಡಿಗ್) | 10-5 |
| ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರವನ್ನು ತೆರವುಗೊಳಿಸಿ | > 90% |
| ಮೇಲ್ಮೈ ಸಮತಲತೆ | < λ/10 @ 633 nm |
| ವೇವ್‌ಫ್ರಂಟ್ ದೋಷ | < λ/8 @ 633 nm |
| ಸಮಾನಾಂತರತೆ | < 10 ಆರ್ಕ್ಸೆಕ್ |
| ಎಂಡ್-ಫೇಸಸ್ ಕಾನ್ಫಿಗರೇಶನ್ | ಪ್ಲಾನೋ / ಪ್ಲಾನೋ |
| ಆಂತರಿಕ ನಷ್ಟ | < 0.1%ಸೆಂ-1 |
| ಲೇಪನಗಳು | AR 1064 & HT 808: R <0.1% @1064nm, R<5% @ 808nm HR 1064 & HT 808 & HR 532: R>99.8% @1064nm, R<5% @ 808nm, r="">99% @ 532nm AR 1064: R<0.1% @ 1064nm |
ನಾನ್ ಲೀನಿಯರ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ [BBO (ಬೀಟಾ-BaB2O4), ಪೊಟ್ಯಾಸಿಯಮ್ ಟೈಟಾನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಫಾಸ್ಫೇಟ್ (KTiOPO4 ಅಥವಾ KTP)], ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಕ್ಯೂ-ಸ್ವಿಚ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ [Cr: YAG (Cr4+:Y3Al5C12)] ನಂತಹ ಇತರ ಪ್ರಕಾರದ ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಕುರಿತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಾಹಿತಿಗಾಗಿ ಲಿಥಿಯಂ ನಿಯೋಬೇಟ್ (LiNbO3), BBO ಸ್ಫಟಿಕ], ಬೈರ್ಫ್ರಿಂಜೆಂಟ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ [Yttrium Orthovanadate (YVO4), ಕ್ಯಾಲ್ಸೈಟ್, ಲಿಥಿಯಂ ನಿಯೋಬೇಟ್ (LiNbO3), ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ರೂಪ BBO (α-BaB2O4), ಸಿಂಗಲ್ ಸಿಂಥೆಟಿಕ್, ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಒಂದು ಉಲ್ಲೇಖ, ದಯವಿಟ್ಟು ನಮ್ಮನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಮುಕ್ತವಾಗಿರಿ.
