Nd:YVO4
Nd:YVO4 क्रिस्टल हे डायोड लेसर पंप केलेल्या सॉलिड स्टेट लेसरसाठी सध्या अस्तित्वात असलेले सर्वात कार्यक्षम लेसर होस्ट क्रिस्टल आहे.त्याचे मोठे उत्तेजित उत्सर्जन क्रॉस-सेक्शन लेसिंग तरंगलांबी, उच्च अवशोषण गुणांक आणि पंप तरंगलांबीवर विस्तृत शोषण बँडविड्थ, उच्च लेसर प्रेरित नुकसान थ्रेशोल्ड तसेच चांगले भौतिक, ऑप्टिकल आणि यांत्रिक गुणधर्म Nd:YVO4 उच्च शक्ती, स्थिर आणि स्थिरतेसाठी उत्कृष्ट क्रिस्टल बनवतात. किफायतशीर डायोड पंप केलेले सॉलिड-स्टेट लेसर.
वैशिष्ट्ये आणि अनुप्रयोग
★ कमी लेसिंग थ्रेशोल्ड आणि उच्च उतार कार्यक्षमता
★ पंप तरंगलांबीवर कमी अवलंबित्व
★ लेसिंग तरंगलांबी येथे मोठे उत्तेजित उत्सर्जन क्रॉस-सेक्शन
★ विस्तृत पंपिंग तरंगलांबी बँडविड्थवर उच्च शोषण
★ ऑप्टिकली एकअक्षीय आणि मोठे बायरफ्रिंगन्स ध्रुवीकृत लेसर उत्सर्जित करते
★ एकल-रेखांशाचा-मोड आउटपुट आणि कॉम्पॅक्ट डिझाइनसाठी
★ डायोड लेसर-पंप Nd:YVO4 कॉम्पॅक्ट लेसर आणि त्याची वारंवारता-दुप्पट हिरवा, लाल किंवा निळा लेसर मशीनिंग, मटेरियल प्रोसेसिंग, स्पेक्ट्रोस्कोपी, वेफर तपासणी, लाइट शो, मेडिकल डायग्नोस्टिक्स, लेसर प्रिंटिंग आणि इतर सर्वात व्यापक लेसर टूल्स असतील. अनुप्रयोग
भौतिक गुणधर्म
| अणु घनता | ~1.37x1020 अणू/सेमी3 |
| क्रिस्टल स्ट्रक्चर | झिरकॉन टेट्रागोनल, स्पेस ग्रुप D4h |
| a=b=7.12, c=6.29 | |
| घनता | 4.22 ग्रॅम/सेमी3 |
| मोहस कडकपणा | काचेसारखे, ~5 |
| थर्मल विस्तार गुणांक | a=4.43x10-6/K, c=11.37x10-6/K |
ऑप्टिकल गुणधर्म
(सामान्यत: 1.1 atm% Nd:YVO4, ए-कट क्रिस्टल्ससाठी)
| Lasing तरंगलांबी | 914nm, 1064nm, 1342nm |
| थर्मल ऑप्टिकल गुणांक | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| उत्तेजित उत्सर्जन क्रॉस-सेक्शन | 25.0x10-19 सेमी2@1064nm |
| फ्लूरोसंट आजीवन | 90us @808nm, (2atm% Nd doped साठी 50us @808 nm) |
| शोषण गुणांक | 31.4 सेमी-1@808nm |
| शोषण लांबी | 0.32 मिमी @808nm |
| आंतरिक नुकसान | 0.1% पेक्षा कमी सेमी-1@1064nm |
| बँडविड्थ मिळवा | 0.96 nm (257 GHz) @1064nm |
| ध्रुवीकृत लेसर उत्सर्जन | p ध्रुवीकरण, ऑप्टिक अक्षाच्या समांतर (c-अक्ष) |
| डायोड पंप केलेले ऑप्टिकल ते ऑप्टिकल कार्यक्षमता | >60% |
| क्रिस्टल वर्ग | सकारात्मक एकअक्षीय, no=na=nb, ne=nc, no=1.9573, ne=2.1652, @1064nm no=1.9721, ne=2.1858, @808nm no=2.0210, ne=2.2560, @532nm |
| सेलमीयर समीकरण (शुद्ध YVO4 क्रिस्टल्ससाठी, λ मध्ये उम) | no2=3.77834+0.069736/(λ2-0.04724)-0.0108133λ2 ne2=4.59905+0.110534/(λ2-0.04813)-0.0122676λ2 |
लेसर गुणधर्म
(Nd:YVO4 वि Nd:YAG)
| लेझर क्रिस्टल | एनडी डोपेड | σ | α | τ | La | पाथी | η |
| (एटीएम%) | (x10-19cm2) | (cm-1) | (cm-1) | (मिमी) | (mW) | ( %) | |
| Nd:YVO4(a-कट) | १.१ | 25 | ३१.२ | 90 | 0.32 | 78 | ४८.६ |
| 2 | ७२.४ | 50 | ०.१४ | ||||
| Nd:YVO4(c-कट) | १.१ | 7 | ९.२ | 90 | 231 | ४५.५ | |
| Nd:YAG | ०.८५ | 6 | ७.१ | 230 | १.४१ | 115 | ३८.६ |
मुख्य तपशील
| पॅरामीटर्स | श्रेणी किंवा सहिष्णुता |
| एनडी डोपंट पातळी | मी% वर ०.१-५.० |
| विखुरलेले | अदृश्य, हे-ने लेसरसह तपासलेले |
| अभिमुखता सहिष्णुता | ± ०.५ अंश |
| मितीय सहिष्णुता | ± 0.1 मिमी |
| पृष्ठभाग गुणवत्ता (स्क्रॅच-डिग) | 10-5 |
| छिद्र साफ करा | > ९०% |
| पृष्ठभाग सपाटपणा | < λ/10 @ 633 nm |
| वेव्हफ्रंट एरर | < λ/8 @ 633 nm |
| समांतरता | < 10 आर्कसेक |
| एंड-फेस कॉन्फिगरेशन | Plano / Plano |
| आंतरिक नुकसान | < 0.1% सेमी-1 |
| कोटिंग्ज | AR 1064 आणि HT 808: R <0.1% @1064nm, R<5% @ 808nm HR 1064 आणि HT 808 आणि HR 532: R>99.8% @1064nm, R<5% @ 808nm, r="">99% @ 532nm AR 1064: R<0.1% @ 1064nm |
नॉनलाइनर क्रिस्टल [BBO (Beta-BaB2O4), पोटॅशियम टायटॅनियम ऑक्साइड फॉस्फेट (KTiOPO4 किंवा KTP)], पॅसिव्ह क्यू-स्विच क्रिस्टल [Cr: YAG (Cr4+:Y3Al5O12), EO Cry सारख्या इतर प्रकारच्या क्रिस्टलबद्दल अधिक माहितीसाठी लिथियम निओबेट (LiNbO3), BBO क्रिस्टल], Birefringent Crystal [Yttrium Orthovanadate (YVO4), कॅल्साइट, लिथियम निओबेट (LiNbO3), उच्च तापमान फॉर्म BBO (α-BaB2O4), सिंगल सिंथेटिक क्रिस्टल क्वार्ट्ज, मॅग्नेशियम (F2MF) एक कोट, कृपया मोकळ्या मनाने आमच्याशी संपर्क साधा.
