Nd:YVO4
Nd:YVO4 krystal er en af de mest effektive laserværtskrystaller, der i øjeblikket findes til diodelaserpumpede solid state-lasere.Dets store stimulerede emissionstværsnit ved laserbølgelængde, høj absorptionskoefficient og brede absorptionsbåndbredde ved pumpebølgelængde, høj laserinduceret skadetærskel samt gode fysiske, optiske og mekaniske egenskaber gør Nd:YVO4 til en fremragende krystal til høj effekt, stabil og omkostningseffektive diodepumpede solid-state lasere.
Funktioner og applikationer
★ Lav lasertærskel og høj hældningseffektivitet
★ Lav afhængighed af pumpens bølgelængde
★ Stort stimuleret emissionstværsnit ved laserbølgelængde
★ Høj absorption over en bred pumpebølgelængdebåndbredde
★ Optisk enakset og stor dobbeltbrydning udsender polariseret laser
★ Til single-longitudinal-mode output og kompakt design
★ Diode laserpumpet Nd:YVO4 kompakt laser og dens frekvens-doblede grønne, røde eller blå laser vil være det ideelle laserværktøj til bearbejdning, materialebearbejdning, spektroskopi, waferinspektion, lysshow, medicinsk diagnostik, laserprint og andre mest udbredte applikationer
Fysiske egenskaber
| Atomartæthed | ~1,37x1020 atomer/cm3 |
| Krystal struktur | Zircon Tetragonal, rumgruppe D4h |
| a=b=7,12, c=6,29 | |
| Massefylde | 4,22 g/cm3 |
| Mohs hårdhed | Glas-lignende, ~5 |
| Termisk udvidelseskoefficient | a=4,43x10-6/K, c=11,37x10-6/K |
Optiske egenskaber
(typisk for 1,1 atm% Nd:YVO4, a-skårne krystaller)
| Lasende bølgelængder | 914nm, 1064nm, 1342nm |
| Termisk optisk koefficient | dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K |
| Stimuleret emissionstværsnit | 25,0x10-19 cm2@1064nm |
| Fluorescerende levetid | 90us @808nm, (50us @808nm for 2atm% Nd-doter) |
| Absorptionskoefficient | 31,4 cm-1@808nm |
| Absorptionslængde | 0,32 mm @808nm |
| Indre tab | Mindre end 0,1 % cm-1@1064nm |
| Få båndbredde | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Polariseret laseremission | p-polarisering, parallel med optisk akse (c-akse) |
| Diode pumpet optisk til optisk effektivitet | >60 % |
| Krystal klasse | Positiv enakset, nej=na=nb, ne=nc, no=1,9573, ne=2,1652, @1064nm no=1,9721, ne=2,1858, @808nm no=2,0210, ne=2,2560, @532nm |
| Sellmeier-ligning (for rene YVO4-krystaller, λ i um) | no2=3,77834+0,069736/(λ2-0,04724)-0,0108133λ2 ne2=4,59905+0,110534/(λ2-0,04813)-0,0122676λ2 |
Laser egenskaber
(Nd:YVO4 vs Nd:YAG)
| Laser krystal | Nd dopet | σ | α | τ | La | Pth | η |
| (atm%) | (x10-19cm2) | (cm-1) | (cm-1) | (mm) | (mW) | (%) | |
| Nd:YVO4(a-snit) | 1.1 | 25 | 31.2 | 90 | 0,32 | 78 | 48,6 |
| 2 | 72,4 | 50 | 0,14 | ||||
| Nd:YVO4(c-snit) | 1.1 | 7 | 9.2 | 90 | 231 | 45,5 | |
| Nd:YAG | 0,85 | 6 | 7.1 | 230 | 1,41 | 115 | 38,6 |
Nøglespecifikationer
| Parametre | Områder eller tolerancer |
| Nd Dopant niveau | 0,1-5,0 ved m % |
| Spredning | Usynlig, sonderet med en He-Ne laser |
| Orienteringstolerance | ± 0,5 grader |
| Dimensionstolerance | ± 0,1 mm |
| Overfladekvalitet (Scratch-Dig) | 10-5 |
| Klar blænde | > 90 % |
| Overfladeplanhed | < λ/10 @ 633 nm |
| Wavefront fejl | < λ/8 @ 633 nm |
| Parallelisme | < 10 buesek |
| Konfiguration af endeflader | Plano / Plano |
| Indre tab | < 0,1 % cm-1 |
| Belægninger | AR 1064 & HT 808: R < 0,1 % @1064nm, R<5 % ved 808nm HR 1064 & HT 808 & HR 532: R>99,8% @1064nm, R<5% @ 808nm, r="">99% @ 532nm AR 1064: R<0,1 % @ 1064 nm |
For mere information om andre krystaltyper såsom ikke-lineær krystal [BBO (Beta-BaB2O4), kaliumtitaniumoxidphosphat (KTiOPO4 eller KTP)], passiv Q-Switch-krystal [Cr: YAG (Cr4+:Y3Al5O12)], EO-krystal [ Lithium Niobate (LiNbO3), BBO krystal], dobbeltbrydende krystal [Yttrium Orthovanadate (YVO4), Calcit, Lithium Niobate (LiNbO3), højtemperaturform BBO (α-BaB2O4), Single Synthetic Crystal Quartz, Magnesium Fluorid (MgF2)] eller få et tilbud, er du velkommen til at kontakte os.
