Nd:YVO4
Nd:YVO4 բյուրեղը լազերային հյուրընկալող ամենաարդյունավետ բյուրեղներից մեկն է, որը ներկայումս գոյություն ունի դիոդային լազերային պոմպային պինդ վիճակի լազերների համար:Նրա մեծ խթանված արտանետումների խաչմերուկը լազինգային ալիքի երկարությամբ, կլանման բարձր գործակիցը և լայն կլանման թողունակությունը պոմպի ալիքի երկարությամբ, լազերային վնասման բարձր շեմը, ինչպես նաև լավ ֆիզիկական, օպտիկական և մեխանիկական հատկությունները Nd:YVO4-ը դարձնում են հիանալի բյուրեղ՝ բարձր հզորության, կայուն և ծախսարդյունավետ դիոդային պոմպային պինդ վիճակի լազերներ:
Հատկություններ և հավելվածներ
★ Ցածր լազինգի շեմը և թեքության բարձր արդյունավետությունը
★ Ցածր կախվածություն պոմպի ալիքի երկարությունից
★ Խոշոր խթանված արտանետումների խաչմերուկը լազինգի ալիքի երկարությամբ
★ Բարձր կլանումը լայն պոմպային ալիքի երկարության թողունակության վրա
★ Օպտիկական միակողմանի և մեծ երկբեկումը բևեռացված լազեր է արձակում
★ Մեկ երկայնական ռեժիմի ելքի և կոմպակտ դիզայնի համար
★ Դիոդային լազերային պոմպային Nd:YVO4 կոմպակտ լազերը և դրա հաճախականությամբ կրկնապատկված կանաչ, կարմիր կամ կապույտ լազերը կլինեն հաստոցների, նյութերի մշակման, սպեկտրոսկոպիայի, վաֆլի ստուգման, լուսային ցուցադրության, բժշկական ախտորոշման, լազերային տպագրության և այլ ամենատարածված լազերային գործիքները: հավելվածներ
Ֆիզիկական հատկություններ
| Ատոմային խտություն | ~1,37x1020 ատոմ/սմ3 |
| Բյուրեղյա կառուցվածք | Ցիրկոն քառանկյուն, տիեզերական խումբ D4h |
| a=b=7.12, c=6.29 | |
| Խտություն | 4.22 գ/սմ3 |
| Մոհսի կարծրություն | Ապակու նման, ~5 |
| Ջերմային ընդարձակման գործակից | a=4.43x10-6/K, c=11,37x10-6/K |
Օպտիկական հատկություններ
(սովորաբար 1,1 ատմ% Nd:YVO4, a կտրված բյուրեղների համար)
| Լազինգի ալիքի երկարություններ | 914 նմ, 1064 նմ, 1342 նմ |
| Ջերմային օպտիկական գործակից | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| Խթանված արտանետումների խաչմերուկ | 25,0x10-19սմ2@1064 նմ |
| Լյումինեսցենտ կյանքի տևողություն | 90us @808nm, (50us @808 nm 2atm% Nd դոպինգի համար) |
| Կլանման գործակից | 31,4 սմ-1@808 նմ |
| Կլանման երկարությունը | 0,32 մմ @808 նմ |
| Ներքին կորուստ | 0,1% սմ-1@1064 նմ-ից պակաս |
| Ձեռք բերեք թողունակություն | 0,96 նմ (257 ԳՀց) @1064 նմ |
| Բևեռացված լազերային արտանետում | p բևեռացում, օպտիկական առանցքի զուգահեռ (c առանցք) |
| Դիոդային պոմպային օպտիկականից օպտիկական արդյունավետություն | >60% |
| Բյուրեղյա դաս | Դրական միակողմանի, no=na=nb, ne=nc, no=1.9573, ne=2.1652, @1064nm no=1.9721, ne=2.1858, @808nm no=2.0210, ne=2.2560, @532nm |
| Սելմայերի հավասարումը (մաքուր YVO4 բյուրեղների համար, λ in um) | no2=3,77834+0,069736/(λ2-0,04724)-0,0108133λ2 ne2=4,59905+0,110534/(λ2-0,04813)-0,0122676λ2 |
Լազերային հատկություններ
(Nd:YVO4 vs Nd:YAG)
| Լազերային բյուրեղյա | Nd դոպինգ | σ | α | τ | La | Pth | η |
| (atm%) | (x10-19սմ2) | (սմ-1) | (սմ-1) | (մմ) | (մՎտ) | (%) | |
| Nd:YVO4 (a-cut) | 1.1 | 25 | 31.2 | 90 | 0,32 | 78 | 48.6 |
| 2 | 72.4 | 50 | 0.14 | ||||
| Nd:YVO4 (c-cut) | 1.1 | 7 | 9.2 | 90 | 231 | 45.5 | |
| Nd:YAG | 0,85 | 6 | 7.1 | 230 | 1.41 | 115 | 38.6 |
Հիմնական բնութագրեր
| Պարամետրեր | Շրջանակներ կամ հանդուրժողականություններ |
| Nd Dopant մակարդակ | 0,1-5,0 մ% |
| Ցրվածություն | Անտեսանելի, զոնդավորված He-Ne լազերով |
| Կողմնորոշման հանդուրժողականություն | ± 0,5 աստիճան |
| Չափային հանդուրժողականություն | ± 0,1 մմ |
| Մակերեւույթի որակ (քորում) | 10-5 |
| Մաքուր բացվածք | > 90% |
| Մակերեւույթի հարթություն | < λ/10 @ 633 նմ |
| Wavefront սխալ | < λ/8 @ 633 նմ |
| Զուգահեռություն | < 10 աղեղ |
| Վերջնական դեմքերի կազմաձևում | Պլանո / Պլանո |
| Ներքին կորուստ | <0,1% սմ-1 |
| Ծածկույթներ | AR 1064 & HT 808. R < 0,1% @1064nm, R<5% @ 808nm HR 1064 & HT 808 & HR 532. R>99,8% @1064nm, R<5% @ 808nm, r="">99% @ 532nm AR 1064. R<0.1% @1064nm |
Այլ տեսակի բյուրեղների մասին լրացուցիչ տեղեկությունների համար, ինչպիսիք են ոչ գծային բյուրեղը [BBO (Beta-BaB2O4), կալիումի տիտանի օքսիդ ֆոսֆատ (KTiOPO4 կամ KTP)], պասիվ Q-անջատիչ բյուրեղը [Cr: YAG (Cr4+:Y3Al5O12)], EO Cry: Լիթիումի նիոբատ (LiNbO3), BBO բյուրեղ], երկփեղկ բյուրեղ [իտրիումի օրթովանադատ (YVO4), կալցիտ, լիթիումի նիոբատ (LiNbO3), բարձր ջերմաստիճանի ձև BBO (α-BaB2O4), մեկ սինթետիկ բյուրեղյա քվարց, մագնեզիում (մագնեզիում ֆլյուոր) մեջբերում, խնդրում ենք ազատ զգալ կապվել մեզ հետ:
