Silikon (Si)
Lensa Plano-Cembung
Saat memutuskan antara lensa plano-cembung dan lensa bi-cembung, yang keduanya menyebabkan cahaya datang terkolimasi menyatu, biasanya lebih cocok untuk memilih lensa plano-cembung jika perbesaran absolut yang diinginkan kurang dari 0,2 atau lebih besar dari 5. Di antara kedua nilai ini, lensa bi-cembung umumnya lebih disukai.
Silikon menawarkan konduktivitas termal yang tinggi dan kepadatan rendah.Namun ia memiliki pita serapan yang kuat pada 9 mikron, sehingga tidak cocok untuk digunakan dengan aplikasi transmisi laser CO2.Paralight Optics menawarkan Lensa Silicon (Si) Plano-Convex yang tersedia dengan lapisan AR broadband yang dioptimalkan untuk rentang spektral 3 µm hingga 5 µm yang disimpan di kedua permukaan.Lapisan ini sangat mengurangi pantulan permukaan substrat, menghasilkan transmisi tinggi dan penyerapan minimal pada seluruh rentang lapisan AR.Periksa Grafik untuk referensi Anda.
Fitur:
Bahan:
Silikon (Si)
Substrat:
Kepadatan Rendah & Konduktivitas Termal Tinggi
Opsi Pelapisan:
Tidak dilapisi atau dengan Pelapis Antirefleksi & DLC untuk Kisaran 3 - 5 μm
Panjang Fokus:
Tersedia dari 15 hingga 1000 mm
Spesifikasi Umum:
Gambar Referensi untuk
Lensa Plano-cembung (PCX).
Dia: Diameter
f: Panjang Fokus
ff: Panjang Fokus Depan
fb: Panjang Fokus Belakang
R: Jari-jari
tc: Ketebalan Tengah
te: Ketebalan Tepi
H”: Kembali Bidang Utama
Catatan: Panjang fokus ditentukan dari bidang utama belakang, yang tidak harus sejajar dengan ketebalan tepi.
Parameter
Rentang & Toleransi
-
Bahan Substrat
Silikon (Si)
-
Jenis
Lensa Plano-Concex (PCX).
-
Indeks Refraksi
3,422 @ 4,58 mikron
-
Nomor Abbe (Vd)
Tak terdefinisikan
-
Koefisien Ekspansi Termal (CTE)
2,6x10-6/ pada 20℃
-
Toleransi Diameter
Presisi: +0,00/-0,10mm |Presisi Tinggi: +0,00/-0,02mm
-
Toleransi Ketebalan
Presisi: +/- 0,10 mm |Presisi Tinggi: -0,02 mm
-
Toleransi Panjang Fokus
+/- 1%
-
Kualitas Permukaan (Penggalian Goresan)
Presisi: 60-40 |Presisi Tinggi: 40-20
-
Kerataan Permukaan (Sisi Plano)
/4
-
Kekuatan Permukaan Bulat (Sisi Cembung)
3 /4
-
Ketidakteraturan Permukaan (Puncak ke Lembah)
/4
-
Pemusatan
Tepat:<3 menit |Presisi Tinggi: <30 detik busur
-
Hapus Apertur
90% Diameternya
-
Rentang Pelapisan AR
3 - 5 mikron
-
Transmisi melalui Rentang Pelapisan (@ 0° AOI)
Tag> 98%
-
Reflektansi pada Rentang Pelapisan (@ 0° AOI)
Ravg< 1,25%
-
Desain Panjang Gelombang
4µm
-
Ambang Batas Kerusakan Laser
0,25 J/cm2(6 ns, 30 kHz, @3,3μm)
Grafik
♦ Kurva transmisi substrat Si yang tidak dilapisi: transmisi tinggi dari 1,2 hingga 8 μm
♦ Kurva transmisi substrat Si Berlapis AR: Tavg > 98% pada rentang 3 - 5 μm
♦ Kurva transmisi substrat Si Lapis DLC + AR: Tavg > 90% pada rentang 3 - 5 μm
Kurva Transmisi Substrat Silikon Berlapis AR (3 - 5 μm).
