Pii (Si)
Plano-convexis Lentium
Cum diiudicatio inter lens plano-convexam et lens bi-convexam, quarum utraque causa in lucem incidentium collimatur ad conglobandum, aptior est eligi solet lens plano-convexum, si magnificatio absoluta desiderata vel minor quam 0,2 vel maior est. 5. Inter haec duo bona, lentium bi-convexorum plerumque praefertur.
Silicon princeps scelerisque conductivity et densitatem humilem praebet.Utcunque validam effusio cohortem ad 9 microns habet, usui co2 cum applicationibus laseris transmissionis apta non est.Optica paralight offert Silicon (Si) Plano-convexae Lentes in promptu sunt cum latum banda AR efficiens optimized pro 3 µm ad 5 µm ambitus spectris in utraque superficie depositis.Haec tunica multum reducit superficiem subiecti subiecti, altam transmissionem et minimam effusio in totam extensionem AR efficiens.Compesce Graphs pro indiciis tuis.
Features:
Materia:
Pii (Si)
Subiectum:
Humilis densitas & princeps Scelerisque Conductivity
Optiones coating:
Uncoated vel cum Antireflection & DLC Coatings pro 3 - 5 μm Range
Arx longitudines;
Praesto ab 15 ad 1000 mm
Communia Formularium:
Reference Drawing for
Plano-convex (PCX) Lens
Dia: Diameter
f: Focal Longitudo
ff: Front Focal Longitudo
fb: Focal Longitudo Back
R: Badius
tc: Centrum Crassitudo
te: edge Crassitudo
H ": Back principali Plane
Nota: arx longitudo principali a dorsi plano determinatur, quae extremae crassitudinis linea non necessario est.
Morbi laoreet
Tolerantiae &
-
Substratum Material
Pii (Si)
-
Type
Plano-Concex (PCX) Lens
-
Index Refractionis
3.422 @ 4.58 μm
-
Abbatis Number (Vd)
Non definitur
-
Scelerisque Expansion Coefficient (CTE)
2.6 x 10-6/ at 20℃
-
Diameter Tolerantia
Precision: +0.00/-0.10mm |High Precision: +0.00/-0.02mm
-
Crassitudo tolerantia
Precision: +/-0.10 mm |High Precision: -0.02 mm
-
Arx Longitudo Tolerantia
+/- 1%
-
Superficiem Quality (Scratch-Dig)
Precision: 60-40 |High Precision: 40-20
-
Superficiem idipsum (Plano Latus)
λ/4
-
Sphaericum Superficiem Power (Convex Side)
3 λ/4
-
Superficies Irregularitas (Peak ad Valley)
λ/4
-
Centration
Precision:<3 arcmin |Alta praecisio: <30 arcsec
-
Patet Apertura
XC% diametri
-
AR Coating Range
3 - 5 μm
-
Transmissio super Coating Range (@ 0° AOI)
Tavg > 98%
-
Meditatio super Coating Range (@ 0° AOI)
Ravg< 1.25%
-
Design Wavelength
4µm
-
Laser damnum Limen
0.25 J/cm2(6 ns, 30 kHz, @3.3μm)
Graphs
♦ Transmissio curva uncoated Si substrato: transmissio alta ab 1.2 ad 8 μm
♦ curva transmissio AR-Coated Si subiecta: Tavg > 98% supra 3 - 5 µm range
♦ curva transmissio DLC + AR-Coated Si subiecta: Tavg > 90% per 3 - 5 μm range
Transmissio curva AR-Coated (3 - 5 μm) Silicon Substratum
