Silicon (Si)
Plano-konvex Lënsen

Plano-konvex (PCX) Lënsen hunn eng positiv Brennwäit a kënne benotzt ginn fir e kolliméierte Strahl op de Réck Brennpunkt ze fokusséieren, fir Liicht vun enger Punktquell ze kolliméieren oder den divergente Wénkel vun enger divergerend Quell ze reduzéieren.Fir d'Aféierung vun der sphärescher Aberratioun ze minimiséieren, sollt eng kolliméiert Liichtquell op der kromme Uewerfläch vun der Lens virkommen wann Dir e PCX benotzt fir eng kolliméiert Liichtquell ze fokusséieren;Ähnlech sollten déi divergéierend Liichtstrahlen op der planarer Uewerfläch vun der PCX Lens virkommen wann Dir eng Punktquell vu Liicht kolliméiert.Dës Lënse ginn an onendlech a endlech konjugéiert Uwendungen benotzt.

Wann Dir entscheet tëscht enger plano-konvexer Lens an enger bi-konvexer Lens, déi allebéid kolliméiert Infallsliicht konvergéieren, ass et normalerweis méi gëeegent eng plano-konvex Lens ze wielen wann déi gewënscht absolut Vergréisserung entweder manner wéi 0,2 oder méi grouss ass wéi 5. Tëscht dësen zwee Wäerter sinn bi-konvex Lënsen allgemeng bevorzugt.

Silizium bitt héich thermesch Konduktivitéit a geréng Dicht.Wéi och ëmmer, et huet eng staark Absorptiounsband op 9 Mikron, et ass net gëeegent fir mat CO2 Laser Iwwerdroungsapplikatiounen ze benotzen.Paralight Optik bitt Silicon (Si) Plano-Convex Lënse si verfügbar mat enger Breetband AR Beschichtung optiméiert fir den 3 µm bis 5 μm Spektralberäich op béide Flächen deposéiert.Dës Beschichtung reduzéiert d'Uewerflächereflektioun vum Substrat staark, wat héich Iwwerdroung a minimal Absorptioun iwwer de ganze AR Beschichtungsbereich gëtt.Kuckt d'Grafiken fir Är Referenzen.

Eegeschaften:

Material:

Silicon (Si)

Substrat:

Niddereg Dicht & Héich thermesch Konduktivitéit

Beschichtungsoptiounen:

Onbeschichtet oder mat Antireflexioun & DLC Beschichtungen fir den 3 - 5 μm Range

Brennwäit:

Verfügbar vun 15 bis 1000 mm

Gemeinsam Spezifikatioune:

pro-Zesummenhang-ico — Referenz Zeechnen fir

Plano-konvex (PCX) Lens

Dia: Duerchmiesser
f: Brennwäit
f_f: Front Brennwäit
f_b: Réck Brennwäit
R: Radius
t_c: Zentrum Dicke
t_e: Randdicke
H": Réck Haaptplane

Bemierkung: D'Brennwäit gëtt vum hënneschten Haaptplang festgeluegt, wat net onbedéngt mat der Randdicke entsprécht.

Parameteren

Beräicher & Toleranzen

Substrat Material

Silicon (Si)
Typ

Plano-Concex (PCX) Objektiv
Index vun Refraktioun

3,422 @ 4,58 μm
Abbe Nummer (Vd)

Net definéiert
Thermal Expansiounskoeffizient (CTE)

2,6x10^-6/ bei 20 ℃
Duerchmiesser Toleranz

Präzisioun: +0,00/-0,10 mm |Héich Präzisioun: +0,00/-0,02 mm
Dicke Toleranz

Präzisioun: +/- 0,10 mm |Héich Präzisioun: -0,02 mm
Brennwäit Toleranz

+/- 1%
Surface Quality (Scratch-Dig)

Präzisioun: 60-40 |Héich Präzisioun: 40-20
Surface Flatness (Plano Säit)

λ/4
Sphäresch Surface Power (Konvex Säit)

3 λ/4
Surface Irregularity (Peak to Valley)

λ/4
Zentratioun

Präzisioun:<3 arcmin |Héich Präzisioun: <30 Arcsec
Kloer Apertur

90% vun Duerchmiesser
AR Coating Range

3-5 μm
Iwwerdroung iwwer Beschichtungsberäich (@ 0° AOI)

Tag > 98%
Reflexioun iwwer Beschichtungsberäich (@ 0° AOI)

Ravg< 1,25%
Design Wellelängt

4 umm
Laser Schued Schwell

0,25 J/cm²(6 ns, 30 kHz, @3.3μm)