السيليكون (سي)
عدسات بلانو محدبة
عند الاختيار بين عدسة مستوية محدبة وعدسة ثنائية المحدبة، وكلاهما يتسبب في تقارب الضوء الساقط المتوازي، يكون عادةً أكثر ملاءمة لاختيار عدسة مستوية محدبة إذا كان التكبير المطلق المطلوب إما أقل من 0.2 أو أكبر من 5. بين هاتين القيمتين، يفضل بشكل عام العدسات ثنائية المحدبة.
يوفر السيليكون موصلية حرارية عالية وكثافة منخفضة.ومع ذلك، فهو يتمتع بنطاق امتصاص قوي يبلغ 9 ميكرون، وهو غير مناسب للاستخدام مع تطبيقات نقل ليزر ثاني أكسيد الكربون.تقدم Paralight Optics عدسات بلانو محدبة من السيليكون (Si) متوفرة مع طلاء AR عريض النطاق مُحسّن للنطاق الطيفي من 3 ميكرومتر إلى 5 ميكرومتر المترسب على كلا السطحين.يقلل هذا الطلاء بشكل كبير من انعكاس سطح الركيزة، مما يؤدي إلى انتقال عالي والحد الأدنى من الامتصاص عبر نطاق طلاء AR بأكمله.تحقق من الرسوم البيانية للمراجع الخاصة بك.
سمات:
مادة:
السيليكون (سي)
المادة المتفاعلة:
كثافة منخفضة وموصلية حرارية عالية
خيارات الطلاء:
غير مطلي أو مع طلاءات مضادة للانعكاس وطلاءات DLC لنطاق 3 - 5 ميكرومتر
الأطوال البؤرية:
متوفر من 15 إلى 1000 ملم
المواصفات المشتركة:
الرسم المرجعي ل
عدسة بلانو محدبة (PCX).
ضياء: القطر
و: البعد البؤري
ff: البعد البؤري الأمامي
fb: البعد البؤري الخلفي
ر: نصف القطر
tc: سمك المركز
te: سمك الحافة
H": الطائرة الرئيسية الخلفية
ملاحظة: يتم تحديد البعد البؤري من المستوى الرئيسي الخلفي، والذي لا يتماشى بالضرورة مع سمك الحافة.
حدود
النطاقات والتسامح
-
مادة الركيزة
السيليكون (سي)
-
يكتب
عدسة بلانو كونسيكس (PCX).
-
مؤشر الانكسار
3.422 @ 4.58 ميكرومتر
-
رقم آبي (Vd)
غير معرف
-
معامل التمدد الحراري (CTE)
2.6 × 10-6/ عند 20 درجة مئوية
-
التسامح القطر
الدقة: +0.00/-0.10 ملم |دقة عالية: +0.00/-0.02 مم
-
التسامح سمك
الدقة: +/- 0.10 ملم |دقة عالية: -0.02 ملم
-
التسامح مع البعد البؤري
+/- 1%
-
جودة السطح (حفر الصفر)
الدقة: 60-40 |دقة عالية: 40-20
-
تسطيح السطح (جانب بلانو)
φ/4
-
قوة السطح الكروية (الجانب المحدب)
3 φ/4
-
عدم انتظام السطح (من الذروة إلى الوادي)
φ/4
-
المركز
الدقة:<3 أركمين |دقة عالية: <30 ثانية قوسية
-
فتحة واضحة
90% من القطر
-
نطاق طلاء AR
3 - 5 ميكرومتر
-
ناقل الحركة عبر نطاق الطلاء (@ 0° AOI)
تافج > 98%
-
الانعكاس على مدى الطلاء (@ 0° AOI)
رافغ< 1.25%
-
تصميم الطول الموجي
4 ميكرومتر
-
عتبة الضرر بالليزر
0.25 ي/سم2(6 نانو ثانية، 30 كيلو هرتز، @ 3.3 ميكرومتر)
الرسوم البيانية
♦ منحنى النقل للركيزة غير المطلية Si: انتقال عالي من 1.2 إلى 8 ميكرومتر
♦ منحنى النقل للركيزة Si المطلية بـ AR: Tavg > 98% على مدى 3 - 5 ميكرومتر
♦ منحنى النقل للركيزة DLC + AR-Coated Si: Tavg > 90% على مدى 3 - 5 ميكرومتر
منحنى النقل لركيزة السيليكون المطلية بـ AR (3 - 5 ميكرومتر).
